DDR4与DDR3的区别

    DDR4内存是新一代的内存规格。2011年1月4日，三星电子完成史上第一条DDR4内存。

    DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍；更可靠的传输规范，数据可靠性进一步提升；工作电压降为1.2V，更节能。

    同样内核频率下DDR4理论速度是DDR3的两倍，这又是因为什么呢？

    首先，我们来看看DDR4的结构：

图1 DDR连接器配对结构

    DDR与主机实现数据交换需要“金手指”与插槽的配合，这就是内存的连接结构。

    根据我们已知的DDR3内存的默认频率为1333/1600MHz，而DDR4内存的默认频率则达到了2133Mbps~4266Mbps之间。

图2 DDR传输速率的代次更替及连接器主要结构

    在工艺一定的情况下，频率上升带来的问题也很麻烦，主要是温度变高、工作稳定性降低、信号传输稳定性变差等。对运行中的笔记本进行热成像扫描如下：

图3 笔记本主板热成像温度监控

    1 常用于DDR插槽的铜合金牌号有黄铜H62、磷青铜C5191、铜镍硅合金C7025等。

    表1 三种常用材料的性能对比

    黄铜的强度较低，且长期保持一定大小的夹持力的能力较差。随着工作温度的升高，出现高温下夹持端子软化，接触电阻增大产生更多的热，加剧温升的单恶化。磷青铜导电性能比黄铜还要低，本身产生较多的热量，且热传导系数低。

    目前，博威合金研发的替代磷青铜的新型合金材料PW33520，在导电率方面进行了提升，以改善DDR在信息传输工作中的发热现象。

    2 以下两张图给出了宁波博威合金材料股份有限公司自主研发的高性能PW33520材料对磷青铜的性能对比

图4 PW33520材料对磷青铜的性能对比

    PW33520导电率比磷青铜高出200%；

    100℃，50%Y0.2加载应力条件下，抗应力松弛能力优秀。

图5 PW33520材料扫面电镜成像

    PW33520

    PW33520新型合金采用了析出强化型加工工艺，在高温条件下保持较好的弹性，稳定的接触结构，能够广泛应用于各类接插件。

    目前主要应用于LCD端子、电源插座、继电器、电子连接器、通讯服务器等多个领域端子。

    结  论

    电子产品的轻薄便捷化成为主流趋势，如何解决结构压缩带来的散热问题是制约电子产品性能提升的重要课题。铜是当前市场上最好的散热材料，保证接触强度又能有效解决散热的新型铜材无疑是提升产品性能的一条捷径。

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