博士后招聘方向

    1.理论：功能半导体材料的密度泛函理论计算

    2.实验：新型非易失存储器、忆阻器、神经形态器件（包括二维器件）等半导体微纳电子器件的制备、测试和表征

    课题组和导师简介：

    课题组2017年2月成立，围绕新型半导体信息器件和材料，开展实验和理论研究。自有研究条件包括DFT计算软件CASTEP、VASP、ATK，计算服务器清华超算、无锡超算、UK超算，薄膜生长设备磁控溅射仪、脉冲激光沉积系统，器件测试平台半导体参数分析仪、探针台，材料表征设备原子力显微镜。学校拥有微纳加工公共平台。课题组于2018年11月在神经形态器件方面取得重要进展。

    （https://doi.org/10.1002/adma.201805769）

    课题组PI李黄龙助理教授，2014年取得剑桥大学电子工程博士学位、2010年取得北京大学物理本科学位。

    博士后创新人才支持计划（2019年2月25日截止）：

    要求1987年1月1日后出生，取得博士学位3年内，优先2019年应届博士毕业生。国家资助每人两年共60万元，其中40万元为博士后日常经费，20万元为博士后科学基金；学校额外资助每人两年共10万元博士后日常经费。

    此外，按照现行政策，出站后可解决本人、配偶和子女北京户口。

    计划每年招聘人数（常年）：

    博士后：1-2名，每个方向一名

    招聘要求：

    精通所应聘的研究方向所需实验工具，有较强的沟通、理解、英文写作能力，近2-3年以第一作者发表过大类领域的高影响力文章，可独立开展课题。

    应聘方法：

    发送简历至  li_huanglong@tsinghua.edu.cn

    注明“博士后应聘”。