单位简介：
深圳先进电子材料国际创新研究院（简称“电子材料院”）是在深圳市科技创新委员会的指导支持下，由中国科学院深圳先进技术研究院发起，属于深圳市十大新型研发机构之一，市区两级财政每年提供固定科研经费支持。电子材料院以先进电子封装材料技术开发为重点，旨在提高我国集成电路材料工业水平。现已建成由业内知名专家、研究员、高级工程师、博士后等200余人的研发团队。具备电子材料研发、检测加工验证、中试等试验用地近4.5 万平方米，承担国家地方各级研发平台建设包括“先进电子封装材料国家地方联合工程实验室”、“广东省高密地电子封装关键材料重点实验室”，发表电子材料相关高质量科技论文500余篇，申请国内外专利400余件，孵化高端电子材料企业4家，建立企业联合实验室9个。同时，电子材料院以理事长单位发起成立“粤港澳大湾区先进电子材料技术创新联盟”，联盟成员包括电子信息终端用户企业、电子材料企业、大学研究院所等30余家单位。
一、招聘岗位：
正/副研究员，正/高级工程师，博士后，中初级工程师招聘
二、研发方向及背景要求：
（1）晶圆级封装关键材料方向
v 方向介绍：晶圆级封装相对传统芯片级封装，在成本、互联密度、性能、小型化等方面具有显著的优势，已经成为5G通信等高端芯片的主要封装形式。本方向主要围绕晶圆级封装工艺过程中的关键高分子、高分子复合材料及成套加工工艺开展研究，其目的是为了发展我国高端、安全可控的晶圆级封装关键材料技术。
v 专业背景要求：有机合成及纯化、高分子合成及改性、高分子复合材料及工艺、高分子加工成型、物理/微电子等相关专业硕士/博士；其中具有功能性热塑性/热固性材料（聚酰亚胺、丙烯酸树脂、环氧树脂、有机硅等）合成应用研究背景者优先。
（2）芯片级封装关键材料方向
v 方向介绍: 本方向聚焦于芯片级封装底部填充胶、环氧塑封料、导电胶、芯片互连低温烧结焊料等系列材料的开发与应用，具体包括：关键无机填料的开发、树脂基体的合成与改性、材料配方开发与性能评价、材料芯片应用过程的仿真与可靠性测试。
v 专业背景要求：材料、化学、物理、微电子等相关专业硕士/博士；有无机纳米材料合成与表面改性（金属、氧化物等）、环氧塑封料、底部填充胶、导电胶、低温烧结焊料、工程塑料、聚合物材料增强增韧、分子流变学与聚合动力学、导电油墨、柔性印刷等研究及产业经历者优先。
（3）电介质、电子功能材料与器件方向
v 方向介绍：本方向聚焦于高密度系统级封装介质材料的开发，包括基板内埋式高介电、低损耗聚合物基薄膜电容材料、用于精细线路的低介电绝缘胶膜以及高性能介电陶瓷纳米粉末。本方向立足于基础研究，与产业紧密结合，从实验室成果到完成小试、中试，推动技术转让和市场化。
v 专业背景要求：材料、化学、物理、微电子等相关专业。①聚合物基纳米复合电介质：具有纳米材料、聚合物复合材料、介电高分子等的制备与电学性能研究的良好积累，或了解规模化roll-to-roll成膜工艺、热压工艺等产业化经历。②纳米陶瓷粉体：具有微纳米钙钛矿材料制备和纳米介电陶瓷性能研究经历，熟悉多层陶瓷电容器（MLCC）制作工艺。③无源元件集成设计。
（4）热界面材料方向
v 方向介绍：5G时代的数据传输量将大增，使得智能手机和通信基站的过热风险持续提升。仅从芯片耗电量看，5G是4G的2.5倍。为了保证电子器件的运行可靠性以及更长的使用寿命，高效散热已经成为亟待解决的关键问题。热管理材料是维持电子器件性能和寿命的不可缺少部分。本方向围绕电子器件小型化导致的散热问题，开展聚合物的可控合成、导热填料的制备、热界面材料制备，界面热阻精确测量，高功率密度电子器件集成等方面的研究。
v 专业背景要求：材料科学与工程（尤其是聚合物复合材料）、化学（尤其是有机化学、高分子化学）、物理（尤其是高分子物理）、微电子、工程热物理等相关专业。
（5）电磁屏蔽材料方向
v 方向介绍：高功率、高频、高密度及小型化封装导致电子器件的电磁干扰问题日益严重。本方向聚焦芯片级、系统级、板级等不同封装层级的电磁干扰问题，致力于为电子器件正常工作提供良好的电磁兼容环境。主要开展功能性微纳米原材料、聚合物基导电复合材料、碳材料/碳基复合材料、磁性材料、吸波材料等电磁屏蔽相关材料与产品的开发和研究。
v 专业背景要求：材料、化学、物理、微电子、电磁学/电磁兼容等相关专业；熟悉电磁场/电磁波仿真，具有导电复合材料、电磁屏蔽材料、吸波材料研究及产业化经历者优先。
（6）仿真模拟、材料计算方向
v 方向介绍：本方向采用多尺度模拟方法（第一性原理计算、分子模拟、有限元分析），研究聚合物材料、聚合物基复合材料以及无机材料的微观结构与热学和力学性能之间的关系，评估材料在电子封装结构中的服役可靠性。同时，基于材料基因工程理念，采用高通量多尺度计算，开展复合材料配方、聚合物材料分子结构的高通量筛选研究。
v 专业背景要求：化学（具有计算化学研究经历，熟悉物理化学、高分子化学或有机化学）、物理（具有计算物理研究经历，熟悉固体物理、高分子物理）、固体力学（熟悉有限元分析）、材料信息学、计算机科学（程序开发、机器学习）相关专业；精通分子模拟、第一性原理计算、有限元仿真中的一种；或具有电子封装工艺可靠性仿真经验。
（7）金属微电子互连材料方向
v 方向介绍：金属微电子互连材料由于在电学、热学和力学等方面的优异性能，在微电子封装中具有举足轻重的作用，承担连接和组装电子元器件的重要功能。本方向主要针对钎料合金、电镀薄膜、再布线、孔填充以及键合丝等金属互连材料，开展互连界面反应与组织性能演化方面的应用基础研究，为开发高性能金属互连材料提供理论依据和解决方案。
v 专业背景要求：材料、化学、电化学等相关专业；掌握传统金属材料及合金的冶炼、热处理及力学行为；熟悉金属薄膜的电化学沉积技术及常见薄膜材料的分析测试方法；了解软钎焊工艺以及焊料体系和组织性能；具有薄膜电镀或焊料制备经验者优先。
（8）失效分析与可靠性方向
v 方向介绍：伴随着电子元器件的小型化、多功能化和高功率化，电子封装材料的实际服役环境日益苛刻，失效机理越来越复杂，寿命预测及可靠性评价日益困难。本方向主要针对电子封装材料及其高密度封装结构，开展多场服役环境对材料组织性能和封装结构可靠性影响机理的研究，澄清电子元器件的失效机理，建立可靠性分析评价方法。
v 专业背景：材料、物理、化学、可靠性等相关专业；熟悉不同电子封装材料的金相检验、微观表征、物理性能测试方法；掌握相关分析设备的样品制作及仪器操作方法；了解热学、电学、力学、腐蚀与防护等可靠性评价方法及标准；熟悉电子封装材料制备及半导体制造工艺过程者优先。
三、招聘岗位及任职要求：
（1） 研究员/正高级工程师，副研究员/高级工程师
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在国内外知名高校获得材料、化工、化学、物理、高分子、微电子等相关专业博士学位；
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具备5-10年的高端电子材料研发经验，有海内外知名高校、研究院所或行业龙头企业任职经历者优先；
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以第一作者或通讯作者发表多篇高质量相关论文或作为前两位发明人申请授权多项发明专利。其中，成功将研发成果实现转让或商用者优先；
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具有优秀的团队组建能力，领导力、人才培养能力以及多团队协作能力;
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特别优秀者可放宽学历/工作年限要求。
（2） 博士后
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已获得或即将获得国内外知名高校材料、化工、化学、物理、高分子、微电子等相关专业博士学位且博士毕业不超过3年；一般年龄不超过35周岁；
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以第一作者或通讯作者发表多篇高质量相关论文或作为前两位发明人申请授权多项发明专利者优先；
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具有行业内知名高校、研究院所或企业任职经历者优先；
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热爱科研, 工作积极主动，具有良好的创新能力和团队协作能力。
（3） 中级/初级工程师
研究员、副研究员、正/高级工程师、中级/初级工程师：
1. 提供具有国际化竞争力的薪酬待遇；
2. 有年终绩效奖、横向纵向项目提成、专利级成果转移转化等奖励；
3. 提供高端人才体检、餐费补助，按照深圳市规定的社保比例全额缴纳社会保险和住房公积金；
4.协助办理深圳市户口及配偶子女随迁，户籍将落入我院集体户口。符合条件者，宝安区提供1:1配套深圳市新引进人才租房和生活补贴（即本科：3万元/人；硕士：5万元/人；博士：6万元/人）；
5.符合条件的应聘者可依托本单位申请国家地方各类各级人才项目申报，对于成功认定深圳市高层次人才项目者，深圳市提供5年共160万-300万补贴，宝安区提供1:1配套支持（即共5年，320万-600万，如后期深圳市宝安区人才政策变动，此条款亦随之变动）；
6. 提供国立科研机构平台，海外归国留学人员为主的研究团队，自由开放的研究氛围。
博士后薪资待遇（表现优异者，出站优先留院）：
1. 博士后年薪30万起（含广东省+深圳市补贴）+相关博士后人才项目申报；
2. 协助申请深圳市人才安居工程3万住房补贴，免费新能源电动车90小时/月；
3. 依据自身符合的条件情况，出站留深博士后可申请 "深圳市孔雀计划C类人才"或者"深圳市后备级人才"，享受5年160万的奖励津贴，同时宝安区提供1:1配套支持（即5年320万，如后期深圳市宝安区人才政策变动，此条款亦随之变动）；
4. 协助出站留深（3年以上合同）博士后申请30万元科研资助；
5. 其中博士后享受以上符合条件的院内员工政策的同时，在站工作期间计入我院工龄，可以参加院职称评定，并享受员工同等的其他福利待遇。
五、简历投递及联系人：
凡对以上研究方向感兴趣者请将您的简历投递至邮箱ss.wang2@siat.ac.cn，邮件标题注明“张三（应聘者姓名）+晶圆级封装关键材料（感兴趣的研究方向）+职位”，谢谢！我们将在收到简历后第一时间回复您。
同时，深圳先进院承建的深圳理工大学有教授，副教授等教研序列岗位，有意向者可发送简历至ss.wang2@siat.ac.cn。