6月15日，笔者从中科院宁波材料所获悉，该所在石墨烯/铁磁金属界面拓扑磁结构机理研究上取得重大突破，相关论文已发表在国际学术顶级期刊《Nature Materials》上。据介绍，这一基础科研突破将会使磁斯格明子在信息存储、逻辑运算等方面获得广泛应用。

    该论文的第一作者之一，宁波材料所研究员杨洪新告诉笔者，磁斯格明子是一种存在于磁性材料中的新奇粒子。它具有比传统磁性介质更稳定，只需较少能量就可以驱动，结合存储处理能力使计算机运行更快等特点，能大大增强笔记本计算机硬盘密度，将平板电脑的硬盘缩小至米粒大小。

    然而，磁斯格明子所依赖的重金属与当前普遍使用的磁隧道存储结构不兼容，从而制约了这一粒子的应用。杨洪新团队找到适宜的磁相互作用（DMI）及垂直磁各向异性的新型材料结构，从而提高该粒子在室温下的稳定性、可控读写能力等，以此解决当前存在的诸多问题，实现磁斯格明子在自旋电子学器件上的应用。

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    “通过新机制诱导，我们发现在铁磁金属和石墨烯界面就可以实现较大DMI，从而突破了界面DMI对重金属的依赖。”杨洪新说，这项研究将会推动二维材料在自旋轨道电子学，拓扑磁结构在信息存储、逻辑运算等方面的应用。

    据了解，杨洪新曾与诺贝尔奖得主Albert Fert教授等合作发展了计算界面DMI的方法，并从第一性原理角度揭示了铁磁金属/重金属界面Fert-Levy型DMI的物理图像。

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